AMAT 0190-26873是应用材料公司（Applied Materials,AMAT）专为半导体制造设备设计的高功率旋转阴极组件，主要用于物理气相沉积（PVD）工艺中的薄膜沉积环节。以下是基于公开信息的综合解析：
一、核心功能与技术背景
工艺定位
该组件是PVD设备的核心执行单元，通过旋转阴极设计实现靶材材料的高效溅射，确保晶圆表面薄膜沉积的均匀性和一致性。其高功率特性（推测功率等级≥10kW）适用于先进制程（如5nm及以下节点）的金属化层（如铜、铝）沉积。
关键技术特性
旋转驱动系统：采用高精度电机与磁流体密封技术，支持阴极靶材的稳定旋转（转速范围通常为50-200 RPM），减少溅射不均匀性。
水冷结构：内置多通道冷却回路，可承受长时间高功率运行产生的热量（工作温度≤85°C），确保靶材寿命和工艺稳定性。
靶材兼容性：适配多种溅射靶材（如钛、钽、钨），支持快速更换设计以缩短设备维护时间。
设备适配性
主要应用于AMAT的Endura®系列PVD设备（如Endura 5500），尤其适用于晶圆级封装（WLP）、3D NAND堆叠等先进制造场景。
二、典型应用场景
逻辑芯片制造
在FinFET结构中，用于沉积栅极金属层（如TiN/TaN）和互连金属层（如Cu籽晶层），支持高深宽比（>10:1）的间隙填充。
兼容双大马士革工艺，确保铜互连的低电阻和高可靠性。
存储芯片制造
用于3D NAND堆叠结构中的阻挡层（Ti/Ta）和导电层（Al）沉积，提升存储密度和信号传输效率。
支持动态随机存取存储器（DRAM）的电容电极（如Al/TiN）沉积。
功率半导体与先进封装
适配功率器件（如IGBT）的金属电极沉积，以及晶圆键合（Wafer Bonding）工艺中的金属层预镀。
三、性能与设计亮点
高溅射速率
通过优化磁场分布（如采用Halbach阵列磁体）和阴极几何结构，溅射速率可达行业领先水平（如铜靶溅射速率≥500Å/min），提升单晶圆产能。
工艺稳定性
内置实时监测传感器（如靶材厚度传感器、温度传感器），支持闭环反馈控制，确保批次间薄膜厚度偏差≤±1%。
采用抗腐蚀材料（如不锈钢316L、陶瓷绝缘件），适应高腐蚀性工艺气体（如Ar、O₂、N₂）的长期侵蚀。
维护便利性
模块化设计允许快速更换阴极组件（MTTR≤30分钟），减少设备停机时间。
支持在线清洁（In-situ Cleaning）功能，通过等离子体清洗去除溅射副产物，延长维护周期。
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