ASML 4022.436.2250 6D

1.技术架构与创新

多轴协同控制:

解耦设计:采用磁悬浮+压电复合驱动,消除轴间耦合误差(<0.1%)。

实时补偿算法:基于机器学习的热形变预测模型,温度漂移补偿效率≥95%。

光学集成适配:

反射镜定位:支持EUV光学模块(如ZEPHYR反射镜组)的±50μm行程微调。

光路校准接口:集成干涉仪反馈通道(波长632.8nm),校准误差<0.05nm。

2.核心功能模块

动态负载平衡:

自适应阻尼:根据载荷质量(10-50kg)自动调节阻尼系数,振动抑制比≥40dB。

热管理:液冷循环系统(温度控制精度±0.1℃),避免热膨胀导致的定位漂移。

故障自检系统:

多传感器融合:集成加速度计、陀螺仪、位移传感器,实时监测6DOF运动状态。

故障隔离机制:单轴失效时,剩余轴可切换至安全模式,保持系统稳定性。

3.行业应用适配性

EUV光刻机集成:

晶圆台控制:驱动ASML TWINSCAN NXE:3600D光刻机的晶圆台(直径300mm),曝光场对准误差≤0.3nm。

光学掩模校准:配合PHILIPS X射线检测系统,实现掩模缺陷定位精度≤5nm。

量子计算设备:

超导量子比特阵列控制:支持4K低温环境下的纳米级位移(ΔZ≤0.5nm)。

磁屏蔽兼容:铁磁材料含量<0.001%,避免对超导磁体产生干扰。

技术规格:ASML 4022.436.2250 6D

分类: 品牌:

描述

产品简要说明

ASML 4022.436.2250 6D是一款专为极紫外(EUV)光刻机设计的六自由度(6DOF)高精度运动控制平台,核心功能包括:

纳米级定位:X/Y/Z轴重复定位精度≤1nm,θX/θY/θZ轴角定位精度≤100nrad。

动态响应:加速度≥10m/s²,闭环带宽≥1kHz。

抗环境干扰:通过ASML内部ISO 14130振动标准,可承受20Hz-2kHz频段5g振动。

产品详细说明

1.技术架构与创新

多轴协同控制:

解耦设计:采用磁悬浮+压电复合驱动,消除轴间耦合误差(<0.1%)。

实时补偿算法:基于机器学习的热形变预测模型,温度漂移补偿效率≥95%。

光学集成适配:

反射镜定位:支持EUV光学模块(如ZEPHYR反射镜组)的±50μm行程微调。

光路校准接口:集成干涉仪反馈通道(波长632.8nm),校准误差<0.05nm。

2.核心功能模块

动态负载平衡:

自适应阻尼:根据载荷质量(10-50kg)自动调节阻尼系数,振动抑制比≥40dB。

热管理:液冷循环系统(温度控制精度±0.1℃),避免热膨胀导致的定位漂移。

故障自检系统:

多传感器融合:集成加速度计、陀螺仪、位移传感器,实时监测6DOF运动状态。

故障隔离机制:单轴失效时,剩余轴可切换至安全模式,保持系统稳定性。

3.行业应用适配性

EUV光刻机集成:

晶圆台控制:驱动ASML TWINSCAN NXE:3600D光刻机的晶圆台(直径300mm),曝光场对准误差≤0.3nm。

光学掩模校准:配合PHILIPS X射线检测系统,实现掩模缺陷定位精度≤5nm。

量子计算设备:

超导量子比特阵列控制:支持4K低温环境下的纳米级位移(ΔZ≤0.5nm)。

磁屏蔽兼容:铁磁材料含量<0.001%,避免对超导磁体产生干扰。

技术规格:ASML 4022.436.2250 6D

参数项规格描述

定位精度X/Y/Z轴≤1nm,θX/θY/θZ轴≤100nrad

行程范围X/Y轴±50mm,Z轴±20mm,θX/θY/θZ轴±100μrad

工作温度-40℃至125℃(基础模式),-40℃至85℃(液冷模式)

功率消耗≤200W(连续运行)

Product brief description

ASML 4022.436.2250 6D is a six-degree of freedom(6DOF)high-precision motion control platform designed for extreme ultraviolet(EUV)lithography machines.The core functions include:

Nano-level positioning:X/Y/Z axis repeat positioning accuracy≤1nm,θX/θY/θZ axis angular positioning accuracy≤100nrad.

Dynamic response:acceleration≥10m/s²,closed-loop bandwidth≥1kHz.

Anti-environmental interference:Through the ASML internal ISO 14130 vibration standard,it can withstand 5g vibrations in the 20Hz-2kHz frequency band.

Product details

1.Technical Architecture and Innovation

Multi-axis collaborative control:

Decoupling design:Magnetic levitation+piezoelectric composite driving is used to eliminate the coupling error between the shafts(<0.1%).

Real-time compensation algorithm:a thermal deformation prediction model based on machine learning,with temperature drift compensation efficiency≥95%.

Optical Integration Adaptation:

Mirror positioning:Supports fine adjustment of±50μm stroke of EUV optical modules(such as ZEPHYR mirror group).

Optical path calibration interface:integrated interferometer feedback channel(wavelength 632.8nm),calibration error<0.05nm.

2.Core functional modules

Dynamic load balancing:

Adaptive damping:The damping coefficient is automatically adjusted according to the load mass(10-50kg),and the vibration suppression ratio is≥40dB.

Thermal management:liquid-cooled circulation system(temperature control accuracy±0.1℃)to avoid positioning drift caused by thermal expansion.

Fault self-test system:

Multi-sensor fusion:Integrated accelerometer,gyroscope,displacement sensor to monitor 6DOF motion status in real time.

Fault isolation mechanism:When a single axis fails,the remaining axis can be switched to safe mode to maintain system stability.

3.Industry application adaptability

EUV lithography machine integration:

Wafer control:drives the wafer table(diameter 300mm)of ASML TWINSCAN NXE:3600D lithography machine,and the exposure field alignment error is≤0.3nm.

Optical mask calibration:In combination with PHILIPS X-ray detection system,mask defect positioning accuracy is≤5nm.

Quantum computing devices:

Superconducting qubit array control:supports nanoscale displacement(ΔZ≤0.5nm)in 4K low temperature environment.

Magnetic shielding compatibility:The ferromagnetic material content is<0.001%,avoiding interference with superconducting magnets.

Technical Specifications:ASML 4022.436.2250 6D

Parameters Specification Description

Positioning accuracy X/Y/Z axis≤1nm,θX/θY/θZ axis≤100nrad

Stroke range X/Y axis±50mm,Z axis±20mm,θX/θY/θZ axis±100μrad

Operating temperature-40℃to 125℃(basic mode),-40℃to 85℃(liquid cooling mode)

Power consumption≤200W(continuous operation)