描述
产品简要说明
ASML 4022.436.6473是ASML光刻机的核心运动控制模块，专为3nm及以下先进制程设计。其核心功能包括：
纳米级定位：单轴定位精度≤1nm（RMS），重复定位精度≤0.5nm。
高速响应：加速度≥10m/s²，动态跟踪带宽≥2kHz。
抗干扰设计：电磁屏蔽等级≥80dB，机械振动隔离效率≥99%。
产品详细说明
1.技术架构与核心功能
直线电机驱动系统：
磁悬浮技术：采用主动磁悬浮（EMS）实现无接触运动，摩擦系数≤1e-6。
多轴协同控制：支持X/Y/Z三轴联动，空间定位误差≤3nm（3σ）。
高精度传感器集成：
激光干涉仪：分辨率1nm，采样频率1MHz。
压电陶瓷微调机构：补偿范围±5μm，分辨率0.1nm。
环境适应性设计：
真空兼容性（1e-6 mbar以下），温度稳定性±0.01℃/小时。
2.性能突破
动态追踪能力：
在200mm晶圆台运动下，曝光场偏移误差≤0.3nm（RMS）。
热稳定性：
环境温度波动≤0.1℃时，定位漂移量≤0.1nm/小时。
长寿命设计：
磁悬浮轴承寿命≥5e6小时（MTBF≥10万小时）。
技术规格:ASML 4022.436.6473
参数项规格描述
定位精度≤1nm（RMS）
加速度≥10m/s²
工作环境真空（1e-6 mbar）、温度25℃±0.1℃
控制协议ASML专用运动控制协议（MCP 5.0）
核心价值与性能亮点
1.先进制程适配
3nm以下光刻需求：支持高数值孔径（NA≥0.55）光学系统，实现0.3nm曝光场控制。
多晶圆台协同：兼容ASML TwinScan平台，双晶圆台切换时间≤500ms。
2.极端环境兼容性
真空与低温集成：
真空环境下运动稳定性误差≤0.2nm。
低温环境（-196℃）下热膨胀系数（CTE）≤1ppm/℃。
3.生态协同创新
ASML NXE 3600D适配：兼容其新型光学架构（如浸润式EUV系统）。
未来扩展接口：预留0.7 NA光学系统的升级通道。
Product brief description
ASML 4022.436.6473 is the core motion control module of ASML lithography machine,specially designed for advanced processes 3nm and below.Its core functions include:
Nano-level positioning:uniaxial positioning accuracy≤1nm(RMS),repeat positioning accuracy≤0.5nm.
High-speed response:acceleration≥10m/s²,dynamic tracking bandwidth≥2kHz.
Anti-interference design:electromagnetic shielding level≥80dB,mechanical vibration isolation efficiency≥99%.
Product details
1.Technical architecture and core functions
Linear motor drive system:
Magnetic levitation technology:Active magnetic levitation(EMS)is used to achieve contactless motion,with a friction coefficient of≤1e-6.
Multi-axis collaborative control:supports X/Y/Z three-axis linkage,and the spatial positioning error is≤3nm(3σ).
High-precision sensor integration:
Laser interferometer:resolution 1nm,sampling frequency 1MHz.
Piezoelectric ceramic fine-tuning mechanism:compensation range±5μm,resolution 0.1nm.
Environmental adaptability design:
Vacuum compatibility(below 1e-6 mbar),temperature stability±0.01℃/hour.
2.Performance breakthrough
Dynamic tracking capability:
Under the 200mm wafer table movement,the exposure field offset error is≤0.3nm(RMS).
Thermal stability:
When the ambient temperature fluctuates≤0.1℃,the positioning drift is≤0.1nm/hour.
Long life design:
Magnetic levitation bearing life is≥5e6 hours(MTBF≥100,000 hours).
Technical specifications:ASML 4022.436.6473
Parameters Specification Description
Positioning accuracy≤1nm(RMS)
Acceleration≥10m/s²
Working environment Vacuum(1e-6 mbar),temperature 25℃±0.1℃
Control Protocol ASML dedicated motion control protocol(MCP 5.0)
Core Valuesand Performance Highlights
1.Advanced process adaptation
Lithography requirements below 3nm:Supports high numerical aperture(NA≥0.55)optical systems,and realizes 0.3nm exposure field control.
Multi-wafer platform collaboration:compatible with ASML TwinScan platform,dual-wafer switching time≤500ms.
2.Extreme environmental compatibility
Vacuum and low temperature integration:
The motion stability error in vacuum environment is≤0.2nm.
The coefficient of thermal expansion(CTE)under low temperature environment(-196℃)is≤1ppm/℃.
3.Ecological collaborative innovation
ASML NXE 3600D adaptation:compatible with its new optical architectures(such as immersive EUV systems).
Future expansion interface:reserve the upgrade channel for 0.7 NA optical system.
