描述
产品简要说明
ASML 4022.436.72581是ASML光刻机的核心对准系统，专为5nm及以下先进制程设计。其核心功能包括：
亚纳米级对准精度：X/Y轴对准误差≤0.03nm（RMS），Z轴高度控制≤0.01nm。
动态补偿技术：实时校正晶圆形变与热漂移，套刻误差（Overlay）≤1nm。
多轴协同控制：六自由度联动，复杂运动轨迹误差≤0.02nm。
产品详细说明
1.光学架构与传感器技术
共聚焦激光干涉仪：
波长：633nm，探测灵敏度≤0.001nm。
多点扫描模式：同步监测晶圆表面100个基准点，形变补偿精度≥99.8%。
高分辨率CCD阵列：
像素尺寸：1μm×1μm，动态范围≥12bit。
帧率：500fps，运动模糊抑制率≥95%。
2.智能控制算法
机器学习预测模型：
输入参数：温度、湿度、晶圆材质等12项数据。
输出预测：晶圆形变趋势，误差预测准确率≥98%。
自适应PID控制：
响应时间：≤100μs，稳态误差≤0.005nm。
多轴耦合补偿：运动轨迹偏移量≤0.01nm。
3.环境适应性设计
真空密封系统：
泄漏率≤1e-10 Pa·m³/s，氧浓度≤0.01ppm。
惰性气体循环：氮气纯度≥99.999%，湿度≤1%RH。
抗电磁干扰：
屏蔽效能≥120dB（1MHz-1GHz），信号失真度≤0.1%。
技术规格:ASML 4022.436.72581
参数项规格描述
对准精度X/Y轴：0.03nm（RMS）；Z轴：0.01nm（RMS）
扫描范围X/Y轴：±400mm；Z轴：±10mm
扫描速度X/Y轴：0.5m/s；Z轴：0.1m/s
工作环境温度：25℃±0.02℃；洁净度：Class 0（ISO 0级）
Product brief description
ASML 4022.436.72581 is the core alignment system of ASML lithography machines,designed for advanced processes 5nm and below.Its core functions include:
Sub-nanometer alignment accuracy:X/Y axis alignment error≤0.03nm(RMS),Z axis height control≤0.01nm.
Dynamic compensation technology:real-time correction of wafer deformation and thermal drift,with overlay error(Overlay)≤1nm.
Multi-axis coordinated control:six-degree-of-freedom linkage,complex motion trajectory error≤0.02nm.
Product details
1.Optical architecture and sensor technology
Confocal laser interferometer:
Wavelength:633nm,detection sensitivity≤0.001nm.
Multi-point scanning mode:synchronously monitor 100 reference points on the wafer surface,and the deformation compensation accuracy is≥99.8%.
High resolution CCD array:
Pixel size:1μm×1μm,dynamic range≥12bit.
Frame rate:500fps,motion fuzzy suppression rate≥95%.
2.Intelligent control algorithm
Machine Learning Predictive Model:
Input parameters:temperature,humidity,wafer material and 12 data.
Output prediction:wafer deformation trend,error prediction accuracy≥98%.
Adaptive PID control:
Response time:≤100μs,steady-state error≤0.005nm.
Multi-axis coupling compensation:motion trajectory offset≤0.01nm.
3.Environmental adaptability design
Vacuum sealing system:
Leakage rate≤1e-10 Pa·m³/s,oxygen concentration≤0.01ppm.
Inert gas circulation:nitrogen purity≥99.999%,humidity≤1%RH.
Anti-electromagnetic interference:
Shielding performance≥120dB(1MHz-1GHz),signal distortion≤0.1%.
Technical specifications:ASML 4022.436.72581
Parameters Specification Description
Alignment accuracy X/Y axis:0.03nm(RMS);Z axis:0.01nm(RMS)
Scanning range X/Y axis:±400mm;Z axis:±10mm
Scanning speed X/Y axis:0.5m/s;Z axis:0.1m/s
Working environment Temperature:25℃±0.02℃;Cleanliness:Class 0(ISO level 0)
