描述
产品简要说明
ASML 4022.436.87251是ASML新一代极紫外（EUV）光刻机的核心光学系统，专为高数值孔径（High NA）技术设计。其核心功能包括：
亚纳米级分辨率：支持3nm逻辑节点制造，最小线条宽度≤3nm（RMS）。
多层镀膜技术：反射率≥99.98%（EUV波段），透射率≥99.95%（ArF波段）。
自适应波前校正：实时补偿热漂移与机械形变，波前畸变≤λ/200（RMS）。
产品详细说明
1.光学架构与材料特性
高NA透镜组：
数值孔径（NA）：0.55，较前代提升30%，分辨率提升至13nm（NXE:3600D基准）。
多层镀膜设计：采用硅/钼（Si/Mo）交替镀层，反射率波动≤0.02%。
真空光学腔：
压力≤1e-12 Pa，氧浓度≤0.0001ppm，抑制光刻胶氧化。
惰性气体循环：氪气纯度≥99.9999%，湿度≤0.01%RH。
2.智能控制算法
波前校正系统：
自适应光学传感器：监测400个波前误差点，校正速度≤10ms/次。
机器学习模型：预测热漂移趋势，补偿精度≥99.9%。
动态聚焦控制：
纳米级步进电机：聚焦偏移调节精度≤0.005nm，响应时间≤50μs。
3.环境适应性优化
热管理模块：
激光腔温控精度≤0.005℃，热膨胀系数（CTE）≤1ppm/℃。
相变材料散热：热流密度抑制至1e6 W/cm²，温升≤0.1℃。
抗辐射设计：
硼硅酸盐玻璃屏蔽层：X射线吸收率≥99.95%。
自修复镀膜技术：表面损伤修复时间≤15分钟（EUV功率密度≤5e6 W/cm²）。
技术规格:ASML 4022.436.87251
参数项规格描述
数值孔径（NA）0.55（EUV波段）
分辨率3nm（3D NAND存储单元）；5nm（逻辑芯片）
波前畸变≤λ/200（RMS），λ=13.5nm
工作环境温度：25℃±0.01℃；洁净度：Class 0（ISO 0级）
Product brief description
ASML 4022.436.87251 is the core optical system of ASML’s new generation extreme ultraviolet(EUV)lithography machine,designed for high numerical aperture(High NA)technology.Its core functions include:
Sub-nanometer resolution:supports 3nm logic node manufacturing,minimum line width≤3nm(RMS).
Multi-layer coating technology:reflectivity≥99.98%(EUV band),transmittance≥99.95%(ArF band).
Adaptive wavefront correction:Real-time compensation for thermal drift and mechanical deformation,wavefront distortion≤λ/200(RMS).
Product details
1.Optical architecture and material properties
High NA lens group:
Numerical aperture(NA):0.55,30%higher than the previous generation,and the resolution is increased to 13nm(NXE:3600D reference).
Multi-layer coating design:Si/molybdenum(Si/Mo)alternating coating is adopted,with reflectivity fluctuations of≤0.02%.
Vacuum optical cavity:
Pressure≤1e-12 Pa,oxygen concentration≤0.0001ppm,inhibiting photoresist oxidation.
Inert gas circulation:Krypton gas purity≥99.9999%,humidity≤0.01%RH.
2.Intelligent control algorithm
Wavefront correction system:
Adaptive optical sensor:monitor 400 wavefront error points,correction speed≤10ms/time.
Machine learning model:predict thermal drift trend,compensation accuracy≥99.9%.
Dynamic focus control:
Nano-level stepper motor:Focus offset adjustment accuracy≤0.005nm,and response time≤50μs.
3.Environmental adaptability optimization
Thermal management module:
The laser cavity temperature control accuracy is≤0.005℃,and the thermal expansion coefficient(CTE)is≤1ppm/℃.
Heat dissipation of phase change materials:The heat flow density is suppressed to 1e6 W/cm²,and the temperature rise is≤0.1℃.
Radiation-resistant design:
Borosilicate glass shielding layer:X-ray absorption rate≥99.95%.
Self-repair coating technology:surface damage repair time≤15 minutes(EUV power density≤5e6 W/cm²).
Technical specifications:ASML 4022.436.87251
Parameters Specification Description
Numerical aperture(NA)0.55(EUV band)
Resolution 3nm(3D NAND memory cell);5nm(logic chip)
Wavefront distortion≤λ/200(RMS),λ=13.5nm
Working environment Temperature:25℃±0.01℃;Cleanliness:Class 0(ISO level 0)
