描述
产品类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-3PN
主要参数
连续漏极电流（ID）：60A
漏源击穿电压（V(BR)DSS）：60V
漏源导通电阻（RDS(ON)）：典型值8mΩ，最大值11mΩ（VGS=10V，ID=30A时）
栅源电压（VGS）：-20V至20V
栅源阈值电压（Vth）：0.8V至2.0V（VDS=10V，ID=1mA时）
输入电容（Ciss）：5400pF（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz时）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
Product Type:N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Package:TO-3PN
Key Parameters
Continuous Drain Current(ID):60A
Drain-Source Breakdown Voltage(V(BR)DSS):60V
Drain-Source On-Resistance(RDS(ON)):Typical 8mΩ,Maximum 11mΩ(at VGS=10V,ID=30A)
Gate-Source Voltage(VGS):-20V to 20V
Gate-Source Threshold Voltage(Vth):0.8V to 2.0V(at VDS=10V,ID=1mA)
Input Capacitance(Ciss):5400pF(at VDS=10V,VGS=0V,f=1MHz)
Power Dissipation(Pd):150W
Operating Temperature Range:-55°C to 150°C
ABB Model: GBU72 3BHE055094R0002 Model: 3BHE055094R0002 GBU72 Model: GBU72 Model: 3BHE055094R0002 Model: 3BHE031197R0001 Model: 3BHB030310R0001 Model: 73BHE055094R0002 GBU72 Model: 73BHE055094R0002 Model: GBU72 Model: ABB PCS6000 PRODUCT FAMLIY ABB 5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101
